nana-taipei51《老师》：“南极磷虾油”造假，同仁堂卷入风波

nana-taipei51《老师》

赵婷向《中国新闻周刊》回忆，她每年都会安排随访人员上门，劝导张梁接受治疗，说服其老伴进行人类免疫缺陷病毒（HIV）检测，但两位老人一度拒绝配合。今年年中，张梁因艾滋病引发肺部严重感染住院一两个月，一度生命垂危。直到出院后，他才开始主动地接受抗病毒治疗。之后，张梁的老伴也接受了HIV检测。，“南极磷虾油”造假，同仁堂卷入风波

宁全贵致辞

自智能手机时代以来，App 构成了智能手机的核心体验，把守着「入口」和用户数据两大宝贵资源，只要用户多打开一次 App，多点开一次内容，就能创造多一分价值。

罗霞主持会议

赵少岩报告

切尔西将于本周二出战联赛杯四分之一决赛，对手是英甲领头羊卡迪夫城。不过刚刚伤愈复出不久的帕尔默，大概率会在这场比赛中获得轮休机会。

马君旗作报告

近日，曾在2023年亚运会龙舟项目夺得3枚金牌的运动员王莉在社交平台公开发视频举报，称云南松茂体育训练基地主任兼皮划艇队主教练范某某，“向她索要15万元比赛奖金”。王莉还在公开视频中陈述，被范某文“恶意边缘化”“断送参赛之路”等问题。

杨安跃报告

从2018年到2022年，五年时间里，大推力液氧甲烷发动机——天鹊系列的诞生，标志着中国民营航天在大推力液体动力领域实现零的突破。

聂平作报告

12月12日，因重大违法被强制退市的广东紫晶信息存储技术股份有限公司发布重大诉讼进展公告。公告显示，近日，公司收到广东省梅州市中级人民法院出具的（2024）粤14刑初23号刑事判决书。

杨承松作报告

在进攻端，利物浦今天的比赛展现了流畅性和强度，这是本赛季大部分时间里所遗憾缺乏的。萨拉赫最引人注目的是，当弗洛里安-维尔茨被抢断后布莱顿发动反击时，他冲刺回防到本方禁区内协助防守。本赛季有很多关于萨拉赫在防守端贡献不足的议论，对手反复利用他身后的空间。随着他的进球和助攻减少，人们更加审视他比赛的其他方面。

王顺金作报告

由此，令人想到上月，当日本首相高市早苗在涉台问题上妄言之后，中国驻大阪总领事薛剑在社交媒体用日语发帖。翻译成中文，大致意思就是，如果有人胆敢伸来肮脏的脑袋，那只能毫不犹豫地砍掉！

杨智敏报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

王秀新报告

北京时间12月17日，在2025年FIFA年度最佳的评选中，巴黎圣日耳曼前锋登贝莱当选最佳男足球员，而作为阿根廷国家队的队长，梅西也把自己的第一选票投给了自己过往在巴萨的前队友。

上一轮AI在落地的时候，比如做医学影像识别，需要专门组建团队针对医学影像单独开发模型。但这轮技术革命中，很多数据在基础训练阶段就已经用过了，人们在基础大模型之上进行精调和对齐，就能较快用到具体领域里。

双方签订上述协议后，原告按照约定于2023年12月1日、2023年12月4日、2024年1月17日向被告发货，经被告确认后签收，货款共计384000元。到目前为止，被告支付货款115200元，支付铺设款66990元，营收抵扣59192元。因原告铺设项目未达标，原告减免被告的铺设服务款，已支付的铺设服务款抵扣已欠货款。截止起诉之日起，被告仍欠款142618元。为维护原告的合法权益，特提起诉讼。 更多推荐：nana-taipei51《老师》

来源：李纯义