miaa968：委内瑞拉国防部长：已做好捍卫祖国的准备

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据界面新闻报道，信用中国网站显示，12月2日，南昌赣医医院有限公司因生产、销售劣药行为，被南昌市市场监督管理局罚款6.1万余元，没收2.6万余元。，委内瑞拉国防部长：已做好捍卫祖国的准备

刘立锋致辞

这年头明星演戏也太容易了，在镜头前站桩就可以，真是时代不同了，放在过去虞书欣这种拍戏态度，估计得被老前辈们喷得不行。

刘亚宁主持会议

邹存良报告

动辄上亿、上十亿的经费出去以后，没有经历过很严格的科学评价与评估。有些人刚回国不久就能掌控几千万的资金，而有一些在实验室不断进行原创的人，他们的经费又非常有限。而那些靠资金堆起的东西，可以发文章。我问过一些杂志的编辑，他们说，发这些文章是因为杂志喜欢发，但不该拿杂志作为评价标准。他们的话其实说得很有道理。

袁民峰作报告

学生提问 3：我们看到很多 AI 公司通过扩展数据和计算来改进大语言模型。一旦数据和计算都用尽了，你认为下一个方向是什么？会是新的架构，transformer 的替代品？还是更好的学习方法，比监督学习或强化学习更好的东西？

周黎凯报告

“这款无创体检机器人不是简单的拍照分析，而是基于高精度光学传感器捕获的‘人脸时空成像’信息，结合我们自研的计算生物学大模型进行的深度推理。”康超透露，该模型的训练严格遵循临床金标准，目前已有约两万个临床样本作为支撑。“检测结果会与用户的抽血报告进行比对，从而不断优化模型。当前预测准确率已达80%，随着大模型持续学习，未来将超过90%。”

武艺捷作报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

马国累作报告

国家历史保护信托基金会在诉状中指出，特朗普政府在快速推进白宫宴会厅改造项目时，未按照法律规定提交规划方案以进行必要审查，同时项目并未获得国会授权，超越了宪法赋予总统的权力。

刘杰作报告

14日晚间，澳大利亚广播公司（ABC）3名记者根据目击者采访和在当地居民中广为流传的视频画面，试图拼凑这起恐怖袭击事件发生前后约一小时的始末，包括被广泛誉为英雄的男子，冒着生命危险单枪匹马缴获一名枪手的武器并进行反击的惊险一幕。现场救援行动则长达数小时。

刘亚宁报告

另据央视新闻，当地时间12月13日晚，黎巴嫩真主党领导人纳伊姆·卡西姆在发表电视讲话时表示，真主党拒绝任何解除其武装的企图，并将此类企图视为以色列占领黎实体战略目标的直接延伸，是对黎巴嫩的生存威胁。

陈斌报告

进入末节比赛，王哲林上篮命中追分，同曦内外开花一波11-3攻势，上海已经80-96落后16分差距。上海之后继续84-98落后，李弘权罚中一球与三分命中，张镇麟也命中三分打停同曦。古德温送出大帽，随后古德温上篮追到差5分，拉维特抛射命中，古德温继续上篮得分。拉维特连续罚中3球，赵柏清中投扩大10分优势，张镇麟补扣追分，上海无力回天，最终上海惜败同曦。

当被旁人拍下“疯狂抢货”视频意外走红后，她自嘲“以前不要脸地往前扑才有了露脸的机会，没想到现在能露脸了还是得不要脸”。

此前，因干婷和张某生前夫妻关系不和，以及8米多的拖行距离等因素，干婷的家属一直不认可张某“过失致人死亡”的罪名，希望法院能还他们一个真相。 更多推荐：miaa968

来源：李来义