国产第185页：人大899元书记严选羽绒服卖断货，年轻人涌入高校买羽绒服

国产第185页

欠发达地区大量人口外流，他们在大城市工作，但医疗缴费仍然在户籍地，由于全国统一结算尚未实现，受制于异地就医报销的繁琐，许多外出务工人员在外地生病了，也未必能用上医保。，人大899元书记严选羽绒服卖断货，年轻人涌入高校买羽绒服

张劲遒致辞

刚出来的时候，其实并没有想清楚要做什么方向。因为在飞书期间做过浏览器插件，就先把这段经验用起来，再加上看到 Monica 这类产品，有些被「点燃」了，就先动手做起来。具体要做到哪里、产品最终会长成什么样，当时并不明确。

刘士峰主持会议

李云川报告

另外，很多社区和街道也调动志愿者参与人工扫雪铲冰。充足的设备储备和大众的热情，也成为了北京市减少融雪剂除雪除冰的重要“底气”。

杨运红作报告

在接受日媒质询时，川井德子和高市早苗均否认捐赠存在违法问题。川井德子声称“神奈我良”运营合规，但拒绝披露年度开支数据。

刘军卫报告

蚂蚁技术研究院今日宣布推出LLaDA2.0系列离散扩散大语言模型（dLLM），并同步公开了背后的技术报告。LLaDA2.0包含MoE架构的16B (mini)和100B (flash)两个版本，将Diffusion模型的参数规模首次扩展到了100B量级。

陈庆堂作报告

12月8日下午，红星新闻记者电话联系上化处中学相关负责人。问及小吴家属反映的情况，该负责人表示，公安机关已介入调查了解，具体情况需向派出所了解。电话中，他未透露此事具体情况，称学校也在跟进此事，派出所、教育局等相关部门都在处理此事。对于家属反映的副校长未劝阻的细节，其回应，“一个正常人肯定都会劝的”。他还表示，责任必须依法依规认定。

秦建国作报告

对买房子而言，安全比高级更重要，丽泽3号院实实在在的安全属性显然更给力。丽泽的爆发就在眼前，购买现房或准现房，能第一时间享受资产增值和配套成熟的双重回报。

张德明作报告

我们希望这群人来到我们平台，为此，我们在产品设计里有一个非常重要的动作，就是把 n8n、Claude Skills 或者其他 Workflow 平台做迁移，甚至是产品化的迁移功能。也就是说，你可以一键把那边的东西导过来，放在我们平台上运行。这是我们的第一批用户。

刘洪学报告

从计算理论上说，我们甚至都还不知道 P 是否不等于 NP。整个计算领域里，还有大量最基础的问题没有答案。而且量子算法通常只对非常特定、结构性很强的问题有效。所以这一方向我很看好，但要精准回答被低估，其实不太容易。

杨小永报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

一位美军高级军官向哥伦比亚广播公司（CBS）透露，美国国防部长赫格塞斯了解此次行动，且特朗普政府正在考虑采取更多类似行动。

几天之后，法希尔的街道上堆满了尸体。医护组织报告说，RSF的士兵正在收集遗体——有的被焚烧，有的被埋进集体坟墓。苏丹医生网络称，这是“掩盖罪行的绝望举动”。 更多推荐：国产第185页

来源：唐明书