一起17C.17C：女人过了60岁也别放弃变美！冬季看看这些穿搭，得体又大方

一起17C.17C

国内大厂也开始在电商业务全流程落地AI应用，并且已经在改变电商行业。“智能客服是大模型最好的落地场景之一。”淘天客户运营部店小蜜业务负责人开锋在11月初淘宝商家端AI产品媒体沟通会上表示，大语言模型多轮对话、多模态理解、推理和文本生成能力非常契合电商客服场景。，女人过了60岁也别放弃变美！冬季看看这些穿搭，得体又大方

王有道致辞

为提升收入来源，福特计划将其肯塔基州电动车电池工厂转型为储能电池业务，面向电力公司、风电与光伏开发商，以及训练人工智能模型的大型数据中心。

孟超凡主持会议

李小燕报告

除了温馨的居家照，刘亦菲还分享了户外雪中遛狗的美图。自家小院被白雪覆盖，地面上印着深浅不一的脚印，白雪皑皑的场景充满冬日氛围感。难得遇到初雪，狗狗显得格外兴奋，在雪地里肆意奔跑玩耍。刘亦菲则换上了厚实的外套，搭配黑色裤子与白色运动鞋，整体造型休闲舒适，既保暖又不失时尚感。

付国东作报告

扎克伯格的本意或许更多是为了让他在非洲和亚洲的用户能更顺畅地刷Instagram，从而提升广告效率，但这个模型意外地成为了语言学家的新宠。

周明四报告

据参考消息报道，澳大利亚总理阿尔巴尼斯14日说，枪击事件是针对澳大利亚犹太人的恐怖袭击。他在首都堪培拉举行的新闻发布会上表示，邦迪海滩犹太人“海边光明节”庆祝活动中发生的这起恐怖袭击，“深深刺痛了我们国家的心”。

范碧芳作报告

此前，在欧盟内部，匈牙利总理欧尔班的反对态度，不但阻挡着乌克兰加入欧盟，还曾致使与乌克兰有关的其他决定被推迟。事实上，除了匈牙利，包括斯洛伐克和奥地利也曾反对乌克兰“快速加入欧盟”。

卢爱军作报告

执法队员提醒，车辆如果出现遗撒行为，应第一时间进行及时地清理清扫。若无法第一时间进行处置，也要在来车方向150米左右设置警示标志，同时迅速报告相关部门，避免承担后续的法律责任。各位交通参与者如果路遇遗撒，可以拨打12328交通运输服务热线进行举报。

朱玉兰作报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

时仲泉报告

而在主动安全上，领克900全车标配29个高精度传感器，搭载700TOPS算力芯片及专属辅助驾驶方案，支持18项安全功能，年内还将通过OTA升级新增领航辅助等功能。

黄龙涛报告

盛夏的周日下午，邦迪海滩美得令人窒息，人潮涌动。在海滩北端，人们聚集在沙滩、公园和可以俯瞰全景的小山上，欣赏日落美景。要抵达这片世界闻名的海滩的北端，行人可以穿过一座水泥桥，这座桥连接着贯穿海滩的主干道坎贝尔大道（Campbell Parade）、停车场，最终到达草坪、沙滩和大海。那里正在举行一个犹太节日。活动吸引了许多家庭参加，官方称至少有一名儿童受伤。

12月9日，中俄双方组织实施了第十次联合空中战略巡航。对此，国防部新闻发言人张晓刚表示，此次中俄联合空中战略巡航是年度合作计划内项目，展示双方共同应对地区安全挑战、维护地区和平稳定的决心与能力。12月上旬，中俄两军还在俄罗斯境内举行了第三次反导联合演习。

这一切，要从一次意外受伤事件说起：2025年2月份，睿睿左手被奶奶牵着，右手则拉着她的扭扭车。祖孙俩一前一后，在成都市武侯区某广场附近走着。此时，前方走来一名男子王涛（化名），在错身路过时，不慎踩中这辆扭扭车，王涛应声倒地，后经医院检查为全身多处骨折。 更多推荐：一起17C.17C

来源：宋铁生