8X8x美国：俄乌“和平计划”磋商顿巴斯成焦点！美方提出“自由经济区”设想，欧乌俄均未接受

8X8x美国

美国驻土耳其大使汤姆·巴拉克本月10日证实，相关磋商仍在继续。不过，巴拉克强调，依据美国法律，土耳其若要重返F-35项目，须放弃S-400防空导弹系统。，俄乌“和平计划”磋商顿巴斯成焦点！美方提出“自由经济区”设想，欧乌俄均未接受

何燕致辞

12月15日早间，新南威尔士州警察局长在发布会上说，两名枪手为父子关系，父亲50岁，持有10年枪支执照，在前一日与警方的交火中死亡。儿子24岁，伤势严重。

杨明雄主持会议

金阳洙报告

屏幕方面，这款掌机配备一块 5 英寸 1080P IPS LCD 屏，这对于一台定位入门的机器来说难能可得，但受限于芯片性能，这台掌机可能无法游玩较高性能要求的游戏。

魏放作报告

俄新社称，俄罗斯外交部发言人扎哈罗娃14日表示，正关注来自澳大利亚的可怕消息，她谴责“在宗教节日期间枪杀无辜民众的可怕悲剧”，扎哈罗娃说：“恐怖主义不能成为任何借口。”

吕伟锋报告

大连鲲城官方表示：兹任命张耀坤先生为大连鲲城足球俱乐部总经理兼主教练，全面统筹俱乐部运营管理与一线队竞技事务，任命自本通告发布之日起生效。同时免去曲晓辉俱乐部一切职务，即刻生效。

杨世艳作报告

近日，知名体育博主李平康发文称前职业球员戴琳拖欠山东泰山球迷钱款，至今未能支付完毕一事引发广泛关注，在索要欠款期间该球迷还被戴琳多次言语辱骂。如今涉事球迷因肝病仍在医院接受治疗，急需用钱支付医疗费用。

赵冀鹏作报告

他所指的突破，体现在“泛化”能力上。“我们可能是全球首个实现机器人在可泛化地形、任意姿态下自主站立的团队，”30岁出头的庞江淼说，“不同于以往固定地形、固定程序的模式，我们的技术让机器人通过交互学习，适应不同场景与姿势。”如今，他带领团队推出书生大模型具身全栈引擎，致力于攻克本体、场景与任务“三大泛化”，目标不是单点技术突破，而是构建开放共享的基础设施，推动具身智能迈向“ChatGPT时刻”。

吴兴智作报告

火箭在下落时，需要打开着陆腿落在场坪上。着陆支腿上面，是边条翼，用来提供再入返回时的升力。上面4片舵，就是用来在大气再入滑行的时候，调整火箭姿态的栅格舵。

孙兰华报告

当雨夜里那把油纸伞缓缓抬起，一身豆红旗袍、耳垂流苏银饰的大阔枝袅袅娜娜走出，蒋欣用一个出场就让观众梦回《甄嬛传》。

吕晓勇报告

可以说，《长安二十四计》不光是一部吸引人的新剧，还是一部值得反复重刷看细节、品质感的新剧，能够上星央视不是没有原因的。

当地时间12月11日，乌克兰总统泽连斯基在基辅告诉记者，他和他的谈判团队“已经根据乌克兰未来将成为欧盟成员国的现实，调整了在某些问题上的立场”。

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。 更多推荐：8X8x美国

来源：钟红志