字节跳动姜学成：全球科技创新中心100强发布，北京上海跻身全球前十

字节跳动姜学成

印度方面承诺将严肃处理此次事故，并会全面调查主办方的相关背景。与此同时，梅西的第二站活动由当地政府全面接管，政府的首席部长为实际负责人。为了保证现场的秩序和人员安全，政府临时加派了4000名保安以及450个摄像头。，全球科技创新中心100强发布，北京上海跻身全球前十

黄园堂致辞

更深层的问题是，苏丹并非地缘政治的焦点。在世界的注意力被俄乌和加沙吸走的当下，这场持续一年半的战争，几乎没有进入国际议程。

尹进仓主持会议

王正辉报告

金先生告诉红星新闻记者，邦迪海滩面积很大，当天聚集了很多游人。枪手在毗邻坎贝尔大道的一个横跨停车场的桥上开枪，而金先生当时在一片红色屋顶的度假设施门前观光拍摄，距离开枪的地点“估计也就一百多米吧”。

曹淑平作报告

因此，曼联可能必须让他在16岁前就完成一线队首秀。俱乐部最近将加布里埃尔介绍给了主帅阿莫林，在他们的交谈中，阿莫林解释了自己的足球哲学，尤其强调了努力工作的必要性。

苏振景报告

由于无法到场边与球迷互动，梅西只能待在球场内。整个过程中，梅西身边都站了几十个官员及官员的家属，球迷根本看不见梅西。最后，球迷愤怒向场内扔水瓶、椅子。出于对安全的考虑，梅西待了10分钟后离开。

魏先霞作报告

CFM闪存市场近日发布2026年存储市场展望报告。报告指出，预计2026一季度，服务器eSSD和DDR5 RDIMM仍存在较大供应缺口，预计DDR5 RDIMM大幅上涨40%以上，eSSD上涨20%~30%。CFM闪存市场认为，2026年服务器存储应用会出现两个最大的应用变化，一是QLC NAND在服务器NAND的需求占比将达到20%，原厂QLC NAND供应重心将从消费类市场转向服务器市场，二是服务器128GB及上DDR5 RDIMM需求和LPDDR5X需求进入高速增长，LPDDR5X成为继HBM之后服务器重要的新增DRAM应用。

王旭东作报告

过去的这1年中，登贝莱的表现是完美的。他一共代表巴黎出场53次，打进了35球，送出了16次助攻，独造51球。在他的带领下，巴黎获得了4项冠军，其中包括欧冠、法甲、法国杯以及法超杯。登贝莱和巴黎实现了互相成就。

何维作报告

12月13日，全国医疗保障工作会议在北京召开。国家医保局做出最新部署，力争明年全国基本实现政策范围内分娩个人“无自付”。

陈国华报告

不过，问题在于，“预测市场”的价值恰恰来自信息差。Coinbase首席执行官布莱恩·阿姆斯特朗曾坦言：“如果人们想知道苏伊士运河是否会重新开放，那么允许运河中某艘船上的海军上将对此下注，市场预测会更准确。但另一方面，市场的完整性必须要被维护。”

陈军报告

其次，创新环境特别是“软环境”成为突出短板。在“创新环境全球支撑力”维度，中国仅北京一城进入前30，上海排名全球第41，反映出在文化包容性、国际生活品质、学术话语权、营商环境国际化等方面，与伦敦、纽约、新加坡等顶尖全球城市仍有显著差距。

俄罗斯克里姆林宫发言人佩斯科夫11月14日表示，俄罗斯感谢朝鲜并赞赏朝鲜排雷工兵在库尔斯克地区排雷工作中的无私援助。

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。 更多推荐：字节跳动姜学成

来源：崔树芹