欢迎回家海角粉丝：朱雀三号总指挥谈火箭首飞：最后一脚刹车没踩好

欢迎回家海角粉丝

这样不光是挤占了年轻人的科研经费，更是促使很多年轻人去模仿这些人的所谓的成功道路。年轻人就会认为自己也需要去找资源、抱大腿，所以现在这几年一直有“抱大腿”这个词。，朱雀三号总指挥谈火箭首飞：最后一脚刹车没踩好

赵文香致辞

当然，有些事情仍然是有意义的。即便是在 AI 领域，我们也会持续关注斯坦福等高校的研究，偶尔招聘一些研究人员，或者展开合作。但很多情况下，你很难说这些工作一定 “必须” 在学术界先酝酿很长时间 —— 比如某种新的 attention 机制，可能在大学里实验两年，随后就被带进了工业界。但问题是，工业界本身也在做同样的事情。所以在这些方面，学术界的 “先行期” 未必有特别不可替代的优势。

杨桂英主持会议

蒋金锡报告

12月3日，由蓝箭航天研制的朱雀三号重复使用运载火箭成功首飞，二子级火箭顺利入轨，一子级火箭回收失败，这是国内首次对入轨级运载火箭尝试一子级回收。近日，总台央视记者独家专访了朱雀三号总设计师张晓东，首次对外披露了朱雀三号回收验证的关键技术细节。

彭胡强作报告

12月11日晚，佛山创意产业园就该事件作出回应。园方首先对意外的发生表示遗憾和歉意，承认此次意外牵涉围蔽施工方、商家及园方，园方存在一定的监管缺失问题。

胡素军报告

有分析认为，他无非是想说，如果乌克兰无法加入北约，那不妨类比日本、韩国、澳大利亚等美国小伙伴，享受类似北约第五条——

赵京作报告

我猜想可能是剧本牵扯到历史问题不好过审，于是就出现了不少服化道稍微偏离一点的问题，特别是朱亚文和陈晓两个人站在一起，就像是一个“明朝人”和一个“清朝人”在一起的感觉。

王磊作报告

这份没能送出去的零食，成了老人心头解不开的结。他总念叨着，那天要是能往孩子兜里多塞点吃的，说不定就能撑得再久一点，一遍遍自责：走的人怎么不是自己。

吕长科作报告

近日，武昌职业学院电子信息工程技术2025级定向培养军士贺显贻的参赛资料，被提交到全国大学生职业规划大赛湖北省分赛平台。

李英报告

俄使馆当天在社交媒体上发帖称，“对欧洲和荷兰构成威胁的不是俄罗斯，而是那些不负责任的政客。他们不寻求真正的长期解决方案，而是选择煽动战争、阻挠和平努力并恐吓自己的民众”。

张如区报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

在这样的情况下，特朗普一时压制住双方，在没有彻底解决问题的情况下，却希望双方彻底停火讲和，怎么做得到？其顶多算是将火苗压下。而当一阵风吹过，这战火必然重燃！

金正恩在仪式中单膝跪地向烈士献花，并宣布向工兵团授予一级自由独立勋章，向牺牲的9名战斗员分别追授共和国英雄称号、一级国旗勋章和一级战士荣誉勋章。据朝中社报道，金正恩还与战士们合影留念。报道称，他还接见并安慰了烈士家属。 更多推荐：欢迎回家海角粉丝

来源：彭建卯