海角 每日大赛：未来三天北京晴到多云 早晚时段寒意十足

海角 每日大赛

兹任命张耀坤先生为大连鲲城足球俱乐部总经理兼主教练，全面统筹俱乐部运营管理与一线队竞技事务，任命自本通告发布之日起生效。同时免去曲晓辉俱乐部一切职务，即刻生效。，未来三天北京晴到多云 早晚时段寒意十足

廖洪波致辞

在朝鲜国内将拥核提升到宪法高度后，金正恩一直追求各个大国承认朝鲜的拥核国家地位，停止推动朝鲜半岛无核化。美国特朗普政府的政策变化，虽然还无法确定是诱敌之计还是实质软化，但起码给朝鲜开了一道门缝，让朝鲜似乎看到了门里透出来，朝鲜可以重回国际社会，建立“新型朝美关系”的光。

邓之想主持会议

张锦孚报告

正如奥特曼在接受媒体采访时称，Sora的用户对迪士尼角色的需求“高得惊人”，消费者将能够在《星球大战》中进行光剑对决，或者为他们的孩子制作巴斯光年定制生日视频，这对我们的用户来说将是一件大事。

王永刚作报告

12月13日晚间，梅西在印度度过了比较曲折的一天。印度行的首站，他曾遭遇球迷抗议。随后，首站负责人被抓。不过，梅西顺利完成了第二站的活动。印度球迷对他很是疯狂。

徐洋报告

黄巍： 如果你让 AI 帮你完成一件事，模型一次性就搞定了，那我们其实收集不到什么有价值的数据。我们真正希望看到的是那些中长程、复杂问题的解决过程。

韦贤文作报告

不走寻常路，是这群年轻人的共同选择。上海AI实验室具身智能团队负责人庞江淼，原本是视觉大模型专家，曾获2023年度IEEE国际计算机视觉与模式识别会议最有影响力论文和2024年度欧洲计算机视觉会议最佳论文提名。2021年左右，他敏锐察觉到视觉领域的瓶颈，毅然转向具身智能，且选择跳过从计算机视觉向机器人领域过渡，直接切入最具挑战的底层控制。他认为，科研的关键在于定义问题与解决问题的逻辑，只要找准问题、追求极致，总会迎来突破。

冯兴强作报告

大连鲲城官方表示：兹任命张耀坤先生为大连鲲城足球俱乐部总经理兼主教练，全面统筹俱乐部运营管理与一线队竞技事务，任命自本通告发布之日起生效。同时免去曲晓辉俱乐部一切职务，即刻生效。

李亚军作报告

需要注意的是，亮色配饰应与整体服装色调协调，比如深色大衣搭配亮色内搭，浅色服装搭配饱和度稍低的亮色配饰，避免色彩冲突。

蔡显威报告

有专家指出，这些打击行动可能涉嫌违法，因为美方几乎未公开任何可证明被打击船只载有毒品的证据，也未说明为何必须将船只炸沉，而非先拦截、扣押货物并对船上人员进行讯问。

杨小健报告

值得注意的是，去年9月，北京同仁堂集团曾发布声明称，公司从未允许下属公司使用“同仁堂”商标、字号及任何含有“北京同仁堂”“同仁堂”字样的标识，对外开展招商加盟活动。并称，未经我公司书面授权，任何单位和个人不得以任何方式、在任何场合使用“同仁堂”或“北京同仁堂”字样及任何其他含有“同仁堂”的中文、外文或拼音(含缩写)及图案的标识。

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

而郑爽只能在国外用AI制作短剧，利用自己的经历炒作吸引粉丝，令人唏嘘。不知道郑爽制作短剧回忆当年的时候，会不会后悔曾经的所为呢？ 更多推荐：海角 每日大赛

来源：杨淑琴