欧洲一区：两大推力，人民币“破7”在即？

欧洲一区

金正恩在仪式中单膝跪地向烈士献花，并宣布向工兵团授予一级自由独立勋章，向牺牲的9名战斗员分别追授共和国英雄称号、一级国旗勋章和一级战士荣誉勋章。据朝中社报道，金正恩还与战士们合影留念。报道称，他还接见并安慰了烈士家属。，两大推力，人民币“破7”在即？

牛海军致辞

全国各地，应该没几个人没在童年感冒发烧时听过这些嘱托。而父母在灯光下尽力辨识温度计刻度上的字符，再甩动几下的动作，悄然刻进了几乎所有人的记忆里。

徐西军主持会议

郭建忠报告

朱吉满入主不久，就因其核心资产陷入债务危机，叠加股价下跌，导致质押股权爆仓并被强制处置。2021年，安怀略趁势定增，一举控股，安怀略、安吉父女坐上了信邦制药实控人的宝座。

郭云剑作报告

何晴在荧屏上呈现了许多温婉的大美女角色，但是在王明强眼里，她私底下的性格，完全不是那样的。“她很调皮的，我们那时候黄龙洞一棵樟树，她老是爬树。”王明强说，当时一群女同学中，数何晴的性格最不像传统意义上的女孩子，更像个小男孩一样。

胡乃成报告

据OpenAI官方发布稿，迪士尼公司首席执行官罗伯特·A·艾格表示：“技术创新不断塑造着娱乐业的发展，带来了与世界分享精彩故事的新方式。人工智能的快速发展标志着我们行业的一个重要时刻，通过与OpenAI的合作，我们将深思熟虑并负责任地通过生成式AI拓展我们讲故事的范围。将迪士尼的标志性故事和角色与OpenAI的开创性技术结合起来，将想象力和创造力直接带给迪士尼粉丝，让他们能够以更丰富、更个性化的方式与他们喜爱的迪士尼角色和故事建立联系。

梁伟作报告

我是大兴人，我很幸福，我觉得能够有中国的身份代表中国国家队去出战，这也是能够完成一个梦想，我觉得这是一件很幸福的事情。

李永安作报告

比如说24年，其摩托车全球销量2000万部，汽车接近400万台销量，除此之外，本田还有快艇、飞机、船外机、割草机、农用机械等业务，所以其内燃机的生产压力巨大。

向凯作报告

他在安理会会议上表示：“不但没有在几周以来特朗普总统主导的和平进程上取得进展，卢旺达还在将该地区引向更多的不稳定和战争。”

王庆章报告

在2024赛季率队拿到中超季军并且拿到亚冠门票之后，徐正源按照与俱乐部签订合同中的续约条款，可以自动续约3年。然而，因为种种原因，成都蓉城始终没有履行这一条款，这导致徐正源迟迟没有与俱乐部续约，2025赛季结束之后，双方还在谈判。

刘志军报告

科兹洛夫斯基表示，AI 在分析“整体吸引力”以及用户特定特征（如秃顶、发色等）时发挥关键作用。此外，Keeper 还与斯坦福大学的一个研究团队合作，由该团队协助训练 LLM（Keeper 向研究团队提供匿名化数据）。

车东西12与15日消息，就在刚刚，工业和信息化部正式公布我国首批L3级有条件自动驾驶车型准入许可，两款分别适配城市拥堵、高速路段的纯电动轿车获准在北京、重庆指定区域开展上路试点。

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。 更多推荐：欧洲一区

来源：王生茂