WWW17C.Com：【官方】前国脚张耀坤出任大连鲲城总经理兼主教练

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周围的群众对日本人的刁难爱莫能助，冷眼旁观。此时，乔音婉站了出来，不仅态度强硬，还理直气壮地保护小渔，想尽办法阻止日本人将其逮捕。，【官方】前国脚张耀坤出任大连鲲城总经理兼主教练

范国强致辞

由此，令人想到上月，当日本首相高市早苗在涉台问题上妄言之后，中国驻大阪总领事薛剑在社交媒体用日语发帖。翻译成中文，大致意思就是，如果有人胆敢伸来肮脏的脑袋，那只能毫不犹豫地砍掉！

王传勤主持会议

耿艳红报告

“腾讯已经与全国40余家具身智能企业建立合作关系，其中超过20家为广东省内企业”，12月13日，在2025年粤港澳大湾区人工智能与机器人产业大会（XAIR）上，腾讯集团副总裁、政企业务总裁李强表示。

钟红军作报告

比如2019年12月9日福州马拉松比赛后，福建医科大学附属第一医院在介绍张水华时，用“最快的白衣天使”来形容她。彼时，她是该医院干部病房的护士，以2小时56分44秒的好成绩拿下那一届马拉松比赛的季军。

眭世辉报告

经历这一事件后，或许他会更加珍惜与支持者之间的每一次互动，而粉丝们也会在期待与支持中，感受到偶像与他们之间的真实存在。

刘佳明作报告

当年郑爽被曝塌房，陆思宇还发文称“人生若只如初见，何事秋风悲画扇”，疑似对郑爽塌房发出感慨，还点赞过夸郑爽的博文。

张会琴作报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

李克勤作报告

那对于我来讲，其实踢十号位的话可能更舒服一点，但是教练可能有时候要求我更往右侧去偏重一些，但是最重要的是我能够在场上起到他要求我起到的作用，去把技战术执行出来，能够帮助球队。

陈灵献报告

比如说摩托车市场，其未来几年要继续增量，在现有40%基础上，提升到未来市场的一半份额，同时，其也给四轮车定了一个更难的发展目标。

井朝清报告

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12月13日，全国医疗保障工作会议在北京召开。国家医保局做出最新部署，力争明年全国基本实现政策范围内分娩个人“无自付”。

CFM闪存市场近日发布2026年存储市场展望报告。报告指出，预计2026一季度，服务器eSSD和DDR5 RDIMM仍存在较大供应缺口，预计DDR5 RDIMM大幅上涨40%以上，eSSD上涨20%~30%。CFM闪存市场认为，2026年服务器存储应用会出现两个最大的应用变化，一是QLC NAND在服务器NAND的需求占比将达到20%，原厂QLC NAND供应重心将从消费类市场转向服务器市场，二是服务器128GB及上DDR5 RDIMM需求和LPDDR5X需求进入高速增长，LPDDR5X成为继HBM之后服务器重要的新增DRAM应用。 更多推荐：WWW17C.Com

来源：陈宝珍