17.c.www：说法丨办卡容易退费难？努力让预付式消费更安心

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冬日飘着细雪，新疆乌鲁木齐市天山区小西门就业驿站里却暖意融融。二楼，职业指导师正为十几名年轻人开展就业培训；一楼，不时有人推门而入，登记信息、匹配岗位。暂时没有合适岗位的，便加入求职群，等待新机会。，说法丨办卡容易退费难？努力让预付式消费更安心

朱卫军致辞

值得注意的是，今年以来，已有包括鑫慷嘉（DGCX）、奥拉丁、博发（BF）等在内的多个以虚拟货币为载体或炒作虚拟货币的资金盘相继爆雷。上海知信律师事务所主任戴鹏飞在接受记者采访时表示，资金盘与虚拟货币的合流，看似偶然，实则有其必然性。

庞全学主持会议

马凤先报告

罗伯·莱纳生于1947年，离世时78岁，是一位极其高产的导演，一生参与过超百部电影拍摄，除了自编自导的《怦然心动》之外，罗伯·莱纳还有8部评分在8分以上的作品。

郭成作报告

起初，涉及新协议的谈判，并未传出任何负面信息。据悉，虽然蓉城方面在相关条款上相比前一份合同，加上了很多限制和条件，但一开始，徐正源并没有予以回绝，相反，双方彼此间的沟通也在朝着继续牵手的方向在发展，看似续约问题不大，签字只是时间问题。也正因此，关系到下赛季引援，成都队在赛季结束后，便迅速围绕“徐正源体系”而展开。例如在基本敲定古尔芬克尔合同到期离队后，开始寻找新边翼卫外援人选。除此之外，应韩国籍教练组的要求，与中后卫莱切特展开续约谈判。

朱分社报告

华特迪士尼公司与OpenAI达成协议，迪士尼将成为OpenAI短视频生成式AI平台Sora的首个主要内容授权合作伙伴。根据这项为期三年的新授权协议，Sora将能够生成由用户提示的短视频内容，供粉丝观看和分享。根据协议条款，迪士尼将向OpenAI进行10亿美元的股权投资，并获得认股权证，同时作为主要客户使用OpenAI的API和ChatGPT来构建新产品和供员工使用。

张福军作报告

现在“面条”的全网有20万左右粉丝，靠视频播放量，罗先生一个月能挣5000元左右。这笔收入，也让起初不理解他的妻子接受了“面条”。

于文举作报告

中场休息回来，双方第三节进攻火力下滑均是单节不足30分，魔术连续两节不足30分，尼克斯被追到74-71仅领先3分。尼克斯连得7分扩大10分优势，魔术一波18-4攻势反超4分，尼克斯回敬一波11-3攻势夺回领先，尼克斯第三节29-28再赢1分，三节结束尼克斯100-92领先魔术。前三节比赛双方均是4人得分上双，尼克斯68中41超过6成准星，其中三分18中6，布伦森24中15得到37分与唐斯19+7；魔术75中35，其中三分34中10，萨格斯25+7与贝恩18+5+6。

陈人龙作报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

杨秀红报告

2.8万元“天价”救护车的事看似已经“完美”解决了。但事件通报后，事件主角唐先生却被大量网友指责“忘恩负义”“过河拆桥”，称这是现实版的“农夫与蛇”，甚至还遭到了网暴。

阎晋修报告

警方称，已知有两名作案者，目前仍在确认是否有第三人，正在行动以确保社区的安全。新南威尔士州州长表示，针对这起大规模枪击的庞大、复杂调查刚刚开始。

截至海报新闻记者发稿时，商文娟的抖音账号已有1.1万关注者，其中大部分是女性。每天，她都会收到十几条私信，来自全国各地，内容相似：“看了你的故事，我决定不再忍了。”

我觉得重要的是我们现在一步一步的把每一项赛事都去打好，因为我们其实现在有很多的细节，很多的地方都已经取得了进步，只是说还没有在最终成绩上体现出来，但是最重要的是我们能够一步一步的把信心提升起来，我相信未来一定会越来越好。 更多推荐：17.c.www

来源：张景生