许盛蕾：想念母校的味道！山大校友北京求代购母校麻辣香锅，食堂真给寄了

许盛蕾

或者一双漆皮亮面方头靴，特别是黑色款，既可以顺延黑色裤子的长度，又能增加黑色的质感，让大面积的黑色穿搭凸显出层次感。，想念母校的味道！山大校友北京求代购母校麻辣香锅，食堂真给寄了

邢彩峰致辞

阿里云CTO、通义实验室负责人周靖人近期成为阿里巴巴合伙人。合伙人团队是阿里的最高集体决策机构。今年6月，阿里合伙人团队刚经历大幅缩编，人数降至上市以来最低的17人。周靖人成为阿里合伙人的关键因素之一，是他负责的通义实验室过去一年努力保证了Qwen的模型领先地位。阿里管理层给了他高度肯定，评价 “这非常不容易”。

王永利主持会议

魏玉利报告

韩先生表示，《铺设服务协议》约定考核期及服务考核要求“日均台均订单金额大于或等于3.3元”；且依据协议约定：若未完成铺设服务达标要求的，双方经协商仍未达成一致的，街电公司不再收取原告剩余的款项。鉴于此，双方已失去信任基础，街电公司的违约行为已经导致合作无法继续履行，韩先生一方的合同目的无法实现，应当解除双方协议。另外，韩先生认为，订单收益90%金额先后许诺自己一方和铺设设备的商家，相应分成比例由街电公司自行设定、修改，构成严重违约。

李玉道作报告

北京市卫生健康委在答复中表示，未发现涉事实验室数据及体检结果造假。张晓玲不认可这一结论。她认为爱康国宾提供的部分影像为“三无”图片，并拒绝了官方提出的医疗鉴定建议。

李仁贵报告

据此前报道，闫妮与姚晨合拍《嘉人》双人大片，54岁闫妮大波浪配红唇显成熟性感，46岁姚晨浅灰大衣霸气飒爽，二人诠释不同魅力，再现佟湘玉经典台词 “二十年弹指一挥间”，让怀旧感拉满。

王仁谦作报告

对于加工传播的博主而言，若对不实信息进行二次加工、剪辑拼接、断章取义、刻意放大、添油加醋后传播，同样可能构成名誉权侵权。若明知或应知相关信息为虚假，仍出于吸引流量、谋取私利等目的予以传播，情节严重的，还可能涉嫌诽谤等刑事风险，需承担相应刑事责任。

王文朝作报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

罗基文作报告

在得知何晴离世的消息后，网友们纷纷留言悼念，圈内很多与其同龄且有过合作的艺人也纷纷发声表达哀思，曾主演《西游记》的六小龄童、马德华通过社交平台对其表达不舍。

戈洪斌报告

想要打破基础色的沉闷，不必大面积使用亮色，小面积点缀即可起到画龙点睛的效果。一件绿色打底衫、一个绿色包包，都能瞬间点亮整体造型，让冬日穿搭更具活力。

陈双锁报告

根据证监会于2023年12月披露的信息，本案采取了行政执法当事人承诺与先行赔付相结合的方式进行处理。据投保基金公司测算，本案受损投资者共17471户，总损失为10.97亿余元，在短短2个月内有16,986户投资者获得了10.86亿元赔偿，占总受损人数的97.22%，总应赔金额的98.93%。对于在先行赔付中未领取赔偿金的适格投资者，后续可根据投保基金公司发布的公告继续申请领取。

于是，郭先生远程配合对方，通过一系列人脸识别、指纹验证、上传身份证等操作，最终将几乎所有存款都转移到了新“银行卡”里。

许何出生于2001年，名字取自父母姓氏，2003年父母离婚后，许何归父亲抚养，但离婚后二人仍是朋友，也是演艺圈离婚夫妇共同抚养孩子的典范。 更多推荐：许盛蕾

来源：刘国宇