17c135：深圳一商场厕所安装“吸烟会变透明”玻璃，商场回应：目前正在试点，控烟作用显著

17c135

随着此次红运限定版车型的推出，既满足了消费者对个性化、稀缺性的需求，也以极具诚意的限时价格，为追求运动格调的用户提供了高性价比选择。，深圳一商场厕所安装“吸烟会变透明”玻璃，商场回应：目前正在试点，控烟作用显著

李文英致辞

少部分医疗机构为了套取医保资金，对参保患者进行过度医疗，小病大治、过度检查、开高价药，甚至会出现，医保报销后的自费部分，比完全自费还要贵的怪诞现象。

薄丙申主持会议

乐福娥报告

在科幻小说《安德的游戏》中，让孩子们以打游戏的方式迎战外星人，因为他们在操作上比成人更胜一筹。在这个周末举行的2025全球开发者先锋大会暨国际具身智能技能大赛赛场上，卓益得机器人具身事业部负责人李宗道发现操作机器人的是若干张学生面孔。

左凯迪作报告

截至目前，奔驰“小G”的具体技术细节仍处于保密状态，根据外媒猜测，该车搭载的纯电动力系统很可能会借鉴奔驰旗下的其他车型。至于新车的更多信息，懂车之道将继续关注。想要了解更多新车资讯，购车行情，欢迎留言互动。大家购车一定要理性消费。（图：来源网络；文：懂车之道 王斌 编辑）

霍春名报告

屏幕方面，这款掌机配备一块 5 英寸 1080P IPS LCD 屏，这对于一台定位入门的机器来说难能可得，但受限于芯片性能，这台掌机可能无法游玩较高性能要求的游戏。

谭秋俊作报告

美军强行扣押委内瑞拉游轮“斯基珀号”（Skipper）后，似乎并不打算收手。当地时间11日，路透社援引6名知情人士消息称，鉴于石油出口是委政府的核心收入来源，美国拟在委海岸附近扣押更多油轮，以此向委总统马杜罗施加财政压力。

陈勇作报告

这是自1996年塔斯马尼亚州亚瑟港枪击事件造成35人死亡以来，澳大利亚发生的最严重的大规模枪击事件。亚瑟港事件促使澳大利亚对全面枪支管理进行了根本性改革。

王文清作报告

除了许可协议之外，有着百年历史的迪士尼将成为人工智能新贵OpenAI的主要客户，利用其API构建新产品、工具和体验，包括用于Disney+的产品、工具和体验，并为其员工部署ChatGPT。迪士尼将向OpenAI投资10亿美元股权，并获得购买额外股权的认股权证。

史振东报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

张泽年报告

“这是第一次，当时戴琳也是许诺了一个分期还款计划，其实周期挺长的，但是过了大概一个月，这个球迷又找到我，戴琳没有完全兑现他的诺言还款。”李平康说，这个球迷病情恶化，确实需要钱，他又第二次发了微博。随后戴琳再次找到该球迷，进行言语辱骂，并表示再继续发微博将一分钱也不还。随后戴琳又再次还款4000元，要求删除微博。“因为这钱够他做一个小手术了，在戴琳的进一步恐吓下，球迷说想让我给删掉，我就隐藏了微博。”

黄渤突然说出这集里我最喜欢的一段话：那些石块一块块搬来的人，当时并不知道它们会在这儿待这么久。每个人走过、每辆车碾过，都像刻刀在上面刻痕，这是一场延续千年的创作。

国家历史保护信托基金会在诉状中指出，特朗普政府在快速推进白宫宴会厅改造项目时，未按照法律规定提交规划方案以进行必要审查，同时项目并未获得国会授权，超越了宪法赋予总统的权力。 更多推荐：17c135

来源：杜晓明