nana_taipei 51修女：重要信号！中央财办发声，信息量巨大

nana_taipei 51修女

当梅西出现时，现场数万名球迷一起高喊梅西的名字。随后，梅西按照计划与活动人员进行带球互动、点球PK。最后，梅西绕场致意。活动一共时长80分钟。这次活动举办得非常顺利。梅西身边没有任何官员围着，球迷可以无障碍地欣赏到球王风采。，重要信号！中央财办发声，信息量巨大

孙海平致辞

张耀坤先生作为大连本土足坛名宿，球员时代曾代表国家队多次出战并获得亚洲杯亚军，代表大连队多次获得职业联赛冠军，代表辽宁队斩获全运会冠军，为大连足球的辉煌留下深刻印记。

牛志刚主持会议

赵艳军报告

另外，我们内部有一个共识：做好产品，和做好增长、商业化，是同等重要的事情。所以在增长这块，我们也会搭一个相对完整的团队：投放、内容、KOL 运营、增长产品经理、增长工程师，这些角色我们都会补齐。

陈立军作报告

调查还发现，寇特妮与蕾贝卡21岁的妹妹金柏莉·帕克，同时与法洛存在不正当关系。蕾贝卡失踪后，金柏莉向警方承认与法洛有“浪漫关系”；寇特妮也坦承与法洛有染，甚至曾考虑为其离开丈夫。

徐娜报告

不知道你有没有过这样的经历？拨打客服热线或点开一个网站的客服功能，出现的总是一位“AI客服”。对话时，“AI客服”听不懂话、解决不了问题，当你一遍一遍呼唤“转人工”的时候，等待的却是一次次的“对不起，人工座席目前全忙”……

李勇作报告

华尔兹称：“几个月来，卢旺达在[刚果（金）]北部和南基伍省部署了很多地对空导弹和先进的重武器以帮助‘3·23运动’。我们有可靠的信息证明，‘3·23运动’和卢旺达加大了自杀式无人机和火炮的使用力度，也包括对布隆迪的袭击。”

张磊作报告

金先生表示，当时“枪响了非常多声”，但最初没有人以为那是枪声，因为“砰砰砰”的声音和有间隔的慢节奏很像在国内熟悉的烟花礼炮的声响。后来看到有人在跑，并且高声喊叫，在场的游人才反应过来有事发生。

邵明领作报告

面向非技术用户的AI自动化工作流平台Refly.AI宣布完成数百万美元种子轮融资，该轮融资由金沙江创投、高瓴创投、ClassIn投资。同时，Refly.AI V1.0版本已正式上线，进入邀请码公测阶段。

朱书献报告

“2025年9月份，当时刚开学，有次用餐时间点单量比较多，一中午就有一千多单，只有五名配送员，他们要在三四十分钟内送两百单，因为有时效，很着急，箱子上多放几单、车把也挂上单，但有的单还是超时了。”

高瑞国报告

在清华大学航天学院完成本科和研究生学习的戴政，毕业后进入到中国运载火箭技术研究院，深度参与了长征系列运载火箭的研制。他进入火箭研究院的同一年，2010年，马斯克的SpaceX公司开始加速，开启了全球商业航天低成本、可复用的全新时代。

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

戴政表示，SpaceX不断试错“能摸出产品的边界，实现快速迭代”。他认为某种程度上讲，中国也看到了这一点，“科创板明确把商业航天、具身智能等创新方向写到资本市场规则里面，允许这样的企业上市，募集更多的钱，才有可能跟全世界最先进的水准去竞争。” 更多推荐：nana_taipei 51修女

来源：张文秀