Nana_taipei今日：【好评中国】中国正能量：奔涌不息的“时代洪流”

Nana_taipei今日

马克斯·博卡斯：这是两个问题。首先，很多美国企业依然在中国开展业务，这与政治无关，产品本身没有政治因素。尽管由于政治分化，两国的商业关系确实有些受影响，但这种情况更多是出现在边缘领域，整体而言，商业关系依然很强劲。，【好评中国】中国正能量：奔涌不息的“时代洪流”

高树筑致辞

“大黄蜂”自重75公斤，双臂最大负载30公斤，充电1小时可运行8小时。开普勒称，其负载与续航在行业中处于领先。据该公司测算，购买这台人形机器人的投资回收周期约为1.5至1.8年。

田良主持会议

孙书强报告

也许是认为日本有人看不明白自己的良苦用心，薛剑后来撤回帖子，而用另一番外交辞令表达了对高市早苗与当下日本政府的不满。

杨小红作报告

为了让“面条”适应人类社会，罗先生还带它做“社会化训练”，刚到家没几天，他就拴着绳子遛“面条”。起初它听到电动车声会吓得乱撞，现在已经不怕了。“小朋友也能摸它，它不会躲，也不咬人，只会凑过去闻闻。”

张海强报告

在探讨AI对教育和劳动力市场的广泛影响时，李飞飞称，过去评估求职者主要依据毕业院校和学位层次。但随着AI技术普及，这种评估方式将发生改变。

张兰凤作报告

互联网是有记忆的。上游新闻梳理公开报道发现，诸如“东北雨姐”“秀才”等劣迹大网红，在大号被封禁后曾数次尝试以各种方式复出：不断开小号、借别人出镜、转发大V微博、线下搞活动……他们凭借庞大的粉丝基础，试图通过各种隐蔽手段规避封禁，重走网红之路。北京市网信办的最新通报表明，这一切，似乎都是徒劳。

杨宇鹏作报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

王娟作报告

鲁比奥在社交平台X上发文说：“卢旺达在刚果（金）东部的行动公然违反了在华盛顿由特朗普总统促成签署的协议。美国将会采取一些措施，以便确保当时对美国总统作出的承诺得到遵守。”

侯海霞报告

他还以迪士尼电影《加勒比海盗》为例，称主角杰克·斯派罗船长虽被塑造成“英雄”，但“这些家伙（美国人）是公海上的罪犯，是海盗”。他直指这类霸权行径正是美国“在全球挑起战争的惯用手段”。

李红萍报告

我觉得重要的是我们现在一步一步的把每一项赛事都去打好，因为我们其实现在有很多的细节，很多的地方都已经取得了进步，只是说还没有在最终成绩上体现出来，但是最重要的是我们能够一步一步的把信心提升起来，我相信未来一定会越来越好。

警方称，已知有两名作案者，目前仍在确认是否有第三人，正在行动以确保社区的安全。新南威尔士州州长表示，针对这起大规模枪击的庞大、复杂调查刚刚开始。

在分离纯化与碘 [¹³¹I] 化钠口服溶液制备方面，中核高通采用干法蒸馏工艺进行碘-131 分离，避免了传统湿法产生的放射性废液的问题。目前，中核高通利用富集 ¹³ºTeO₂靶材辐照生产的碘-131 核素进行了多批次碘 [¹³¹I] 化钠口服溶液制备，产品放射性纯度＞99%，稳定性良好，各项指标完全符合《中国药典》要求。中核高通正积极推进智能化核药分装平台建设，该平台建成后将形成年产百万居里级医用碘-131 核素制剂先进产能，更有力地支撑国际国内临床需求。 更多推荐：Nana_taipei今日

来源：冀金合