中美Z0Z0：塞尔吉尼奥：我是大兴人最爱三里屯；国足需要我就会全力以赴

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这些专业人员将直接向各机构负责人汇报，并与亚马逊云服务、苹果、微软等顶级科技公司合作。据官网显示，私营部门合作伙伴还包括谷歌、英伟达、OpenAI、甲骨文、Palantir等多家企业。，塞尔吉尼奥：我是大兴人最爱三里屯；国足需要我就会全力以赴

陈凌飞致辞

由于“以俄资乌”贷款方案只需获得人口至少占欧盟总人口65%的15个欧盟成员国赞成即可通过，德韦弗以外的欧盟领导人也可以联合起来，无视比利时的反对意见强行通过提案。但欧盟外交官称，他们并没有认真考虑过这种方法。

路志玉主持会议

关卓愿报告

而最近8场各项赛事，阿森纳只有2场比赛完成了零封，分别是欧冠客场3-0战胜布鲁日和英超主场2-0战胜布伦特福德，其余六场比赛均有丢球。

田平安作报告

大连鲲城官方表示：兹任命张耀坤先生为大连鲲城足球俱乐部总经理兼主教练，全面统筹俱乐部运营管理与一线队竞技事务，任命自本通告发布之日起生效。同时免去曲晓辉俱乐部一切职务，即刻生效。

王朋龙报告

黄巍： 整体算下来，通过 copilot 配合，用 n8n 搭一个 8 到 10 个节点的流程，可能要花 3 到 6 个小时，加上中间的调试成本，估计至少也是大几十万 token 的消耗。但是在 Refly.AI，一句话生成 Workflow 本身消耗的 token 是非常低的，可能也就几千甚至上万个 token，现在 Kimi K2 这样的模型已经能够非常好地完成这个任务。

冉亚龙作报告

与前作相比，科贝里泽进行了更为大胆的影像尝试，在模糊、低清的画面中，一位父亲踏上了在格鲁吉亚乡村寻找失踪女儿Lisa的旅程，而与他相伴的，竟是一位没有真身、只有声音相伴的Lisa的同事Levan。为什么使用手机拍摄？为何这场关于寻找的旅程名为“落叶球”？当代德国电影研究者张超群（下简称RC张）对科贝里泽长期合作的两位制片人路易丝·豪斯柴尔德（Luise Hauschild，下简称路易丝）和玛利亚姆·沙特贝拉什维利（Mariam Shatberashvili，下简称玛利亚姆）进行专访，进一步揭示《落叶球》背后的创作方法、生产策略与时代感知。

曹志新作报告

今晚康坦-恩贾恩图打进了个人法甲处子球，他司职中场且整场表现不俗，你如何评价这名球员的成长，以及这粒进球对他建立信心的意义？

李素敏作报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

陈建舟报告

字节跳动旗下 AI 助手豆包和中兴通讯 12 月 1 日宣布，搭载豆包手机助手技术预览版的工程样机努比亚 M153 少量发售。IT之家注意到，字节跳动此后曾多次发布公开声明，对于豆包手机助手的安全性作出解释。

章顺平报告

黄绮珊爱情和事业双双低谷期，一度想不开想要自杀，但在她想了结自己的早上，已经半年没有联络的何晴突然打电话给她。

12月8日，小吴的舅舅王先生告诉红星新闻记者，小吴目前14岁，读初三，成绩中等，小姜和她是同班同学。在他看来，孩子之间打架，家长不应该去打孩子。“如果不带到监控室去，（小吴）就不会被打。”王先生介绍的情况和王女士所述基本相同，他也认为学校在管理方面有责任。

低空轨道资源有限，规则是先到先得。目前，马斯克的“星链”卫星系统发射总数已在2025年突破10000颗。中国也在加速推进自己的卫星互联网计划。围绕低轨星座展开的竞争决定着未来全球通信网络，乃至AI算力部署的竞争格局。 更多推荐：中美Z0Z0

来源：马筱燕