日本女同事被上司操到腿软：从扫厕所起步！湘潭一大学生和伙伴凑钱开家政公司，员工多是勤工俭学生，人均月入2千

日本女同事被上司操到腿软

哈尔滨誉曦随即提起诉讼，诉称相关董事会决议及细则修订损害了原告作为被告股东而享有的参与决策选举、更换董事的权利和参与决定董事报酬的权利，请求法院予以撤销。，从扫厕所起步！湘潭一大学生和伙伴凑钱开家政公司，员工多是勤工俭学生，人均月入2千

申蓉致辞

欧盟委员会宣布，就谷歌利用网络内容开发人工智能可能存在的反竞争行为展开调查。声明称，此次调查将重点审查谷歌是否向出版商和内容创作者施加不公平的条款和条件，或赋予自身对这些内容的特权访问权限，从而扭曲竞争，使存在竞争关系的AI模型开发者处于不利地位。

王泽洋主持会议

陈生报告

新京报讯 据云南省体育局消息，近期，网上出现关于运动员王某对云南省松茂体育训练基地范某某有关举报信息。省体育局高度重视，第一时间成立调查组全面开展调查。根据调查结果，省体育局将依规依纪依法进行处理。衷心感谢社会各界对云南省体育局的关心和监督。

叶焱城作报告

不过何晴患病之后，就很少再听到她的消息了，儿子许何毕业典礼的时候，也只有和许亚军以及后妈的合影，何晴只是在朋友圈晒出儿子的毕业证书，可能是因为身体原因，未能到场陪伴。

苏孟波报告

电影在2019年就完成了拍摄，不过制片方有将《寻秦记》拍成好莱坞黑暗奇幻动作电影的想法，所以一开始就设计了大量特效，据说当时整部电影特效超过2000多个镜头。

张华作报告

“如果这部分商业需求，更便宜的满足方式是SpaceX，为什么不能在国内干这件事情？我相信一定有需求，一定会产生供给的。”戴政说。

杨玉敏作报告

公布尘封的档案，为夯实历史真相再添有力证据。此次披露的解密档案中发现与731部队罪行相关人员多达200余人，其中被公开审判的12个战犯对其违反国际公约、准备和实施细菌战的罪行供认不讳。这批档案连接着家国苦难，铭刻的是无法抹去的血泪伤痛、不可翻案的侵华事实。

孙静武作报告

Founder Park：传统 n8n 的很多节点有确定的结果。但你们的 workflow 有四五个 Agent 节点，如果每个节点输出确定性达不到 100%，四五个节点下来，折损就会比较大。这个怎么解决？

夏伟报告

前线战场态势似乎对乌克兰越来越不利，俄军11月在战场上的推进速度是最近三年最快的，在一个月内俄罗斯宣布已经控制波克罗夫斯克（红军城）、库皮扬斯克和沃尔昌斯克三座乌东重镇。随着乌军人员和武器装备匮乏的程度不断加深，俄军不断发起攻势，这也是特朗普威胁乌克兰，如果现在不签署协议，未来将损失更多土地的原因。

邬锋报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

很多奔四女性冬季穿搭容易陷入两个误区：一是为了保暖裹得臃肿老气，或者是追求时尚忽略防寒需求。其实，只要掌握正确的搭配逻辑和实用技巧，就能轻松在保暖与优雅间找到平衡，变身冬日里自带气场的优雅女神。

福州56岁的阿明最近愁眉不展，父母名下的一套公房拆迁后，经家人协商登记在大姐阿红名下，大姐承诺按份额给她30万、二姐15万。可多年过去，钱款迟迟未兑现，原本和睦的姐弟情谊也因此破裂。无奈之下，阿明找到调解小组求助。 更多推荐：日本女同事被上司操到腿软

来源：吕士军