17.c.www：无汞时代！晶华微红外测温芯片，筑牢体温监测 “安全新防线”

17.c.www

土耳其国防部表示，尽管土方持有S-400防空导弹系统一事被列入与美方磋商的范围，但土方在这一问题上“没有新变化”。土方要求美方撤销制裁并同意土方重返F-35战机项目，解决分歧将有益双边关系。，无汞时代！晶华微红外测温芯片，筑牢体温监测 “安全新防线”

冯海文致辞

“我愿称之为一次实验，”研究公司 Techsponential 的分析师艾维·格林加特表示，“但我预计这次实验会失败：短视频人工智能生成的内容，或许在短视频移动应用中有一定的市场，但Disney+并不是人们寻求观看这类内容的地方。”

周雷豫主持会议

潘二营报告

本身机动车都是要缴纳购置税的，电车减免是之前的福利，并不是不要求缴纳，此前是全额减免，未来的减半征收是一种明显的信号。

郑明新作报告

当地时间12月14日18时40分左右，澳大利亚悉尼标志性景点邦迪海滩发生大规模枪击事件，造成12人死亡。澳警方称，其中一名枪手也在死者之列。另有29人受伤，其中包括两名警官。

高洪军报告

点评:此次发布GPT-5.2，被外界视为OpenAI应对谷歌挑战的一次反击。上个月谷歌发布Gemini 3后，在硅谷掀起一场AI权力的重新分配，OpenAI作为大模型霸主的地位受到挑战。OpenAI此次在基准测试榜单中终于扳回一局，一些基准测试分数超过Gemini 3。不过，此前谷歌放出的一些分数明显超过OpenAI的基准测试，例如Humanity’s Last Exam，此次GPT-5.2并未放出。

郝强作报告

这意味着，在“荒野求生”找到持久的生存模式之前，必须先为它在规则世界里“求生”。张家界七星山选择先完善规则、建立标准，而非仓促重启赛事。这种“慢下来”的态度，恰恰体现了对赛事和选手的责任担当。

孙超轩作报告

自日本首相高市早苗于11月7日在日本国会众议院答辩时，发表了涉及中国台湾的严重错误言论后，日本政界一直在争论她那句扬言中国大陆对台湾使用武力会构成日本“存亡危机事态”、暗示日本武力介入的话，到底是怎么说出来的。

白景文作报告

在12月6日小组赛日本队对阵法国队的男单比赛中，张本智和遭到现场部分观众的嘘声和言语攻击。日本方面正式提出抗议，表示“在这样的环境下无法进行比赛”，从以运动员为先的角度出发，也向赛事组委会和中国乒协呼吁“希望今后能继续给予配合”。

胡秋燕报告

保剑锋作为不少网友的“青春男神”，几乎没啥负面消息，如今50岁了，突然被造谣“出轨”、“赠送其他女生香水”等，也是很离谱，现在保剑锋方发布声明，希望谣言尽快散去。

葛月明报告

回溯过去的线索，2015年是她退出演员生涯的开始，她最后拍摄的影视作品是《女医·明妃传》（2014年7月杀青，2016年播出）和《天下正道》（2015年拍摄，2022年播出） 。

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

2016年，正是看到了商业航天的前景，蓝箭成为国内最早一批取得商业航天全行业准入资质的民营火箭企业。当时，戴政仍在中国火箭设计研究院工作。 更多推荐：17.c.www

来源：刘忠法