uu天堂不忘初心：朝野政要均遭点名，李在明下令彻查到底，“统一教贿赂疑云”冲击韩国政坛

uu天堂不忘初心

本月7日起，泰国和柬埔寨边境地区突发激烈冲突，双方均指责对方“先开火”。不到两个月前，泰柬曾在马来西亚签署和平联合声明。，朝野政要均遭点名，李在明下令彻查到底，“统一教贿赂疑云”冲击韩国政坛

张兵致辞

姐妹，救命！这件小香风千金针织衫也太戳我了！软乎乎的质感超舒服，自带贵气感超显气质，秋天单穿就很上镜，搭半裙、牛仔裤更是绝配，你肯定会爱！～

张国占主持会议

张国建报告

而且新版战略没有直接提及朝鲜，甚至没有提历届政府持续作为目标的“核不扩散”，更不用说朝鲜无核化，但这很难看作特朗普有决心和意愿更改美国的国策，而更可能是与金正恩的直接接触尚在特朗普的个人议程当中，甚至有可能已经走到了关键阶段，所以不愿意在这份宏观“务虚”文件中直接刺激朝鲜，无端节外生枝。

龚玉霞作报告

过去消费电子厂商普遍在内存周期下，用锁长约的方式去压低存储芯片的采购价格，但在AI芯片厂商面前，DDR内存价格波动可能就“不算事”。

霍德彬报告

韩先生是江苏人，在宁夏银川工作。2023年9月，他的妹妹在网上看到深圳街电科技有限公司宣传投资充电宝收益率颇高，就萌生了在银川投资该项目的想法。于是，韩先生与街电公司进行了商谈，“街电的销售及负责人介绍该项目投资前景良好，且他们公司做活动，只需要掏300台的钱就可以购得638台设备，利润分成是街电公司得10%，我方得90%，每月收益起码5万元起，6-8个月回本。”韩先生表示，街电工作人员给他介绍了一些成功案例，也增强了他们的信心。

张兴晓作报告

“按《履职清单》规定，街道主要负责生态环保方面的宣传、巡查和上报，整改、处罚、关停等属于配合责任。”张琦介绍。按照督办函，街道城建办联系企业所在地的村党支部书记、网格长和企业负责人到场，凭函告知企业整改内容和时限。

李辉作报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

王力作报告

美国在叙利亚内战爆发后开始在叙驻军，目前在坦夫军事基地和叙东北部多处军事基地有驻军。坦夫军事基地与巴尔米拉市直线距离约100公里。

王胜亮报告

俄罗斯已多次警告欧盟，称动用其主权储备资产等同于盗窃，将削弱全球对央行体系和欧元的信任，并誓言采取严厉报复措施，包括没收欧洲私人投资者在俄境内的资产。

赵从意报告

IT之家 12 月 15 日消息，虎鲸文娱今日推出旗下首款家庭智能终端产品 —— TUDOO Tbox AI 主机，宣称“让大屏秒变 AI 智慧屏”，首发价 1499 元，现已开启预约，12 月 18 日晚开售。

通过在扩散模型的高噪阶段引入“负参考图”，SekoIDX实现多剧集、跨分镜中的角色一致性，同时可避免内容与参考图过度相似，并在响应不同表情、姿态、场景等指令时保持高度稳定。同时，支持超过2人对口型的解决方案SekoTalk，实现了从单人口型到多人互动的高精度声形同步。

一件蓬松、柔软、包裹感十足，有着如枕头面包般绗缝块状隆起、廓形圆润饱满的面包羽绒服，便成为实用主义之选，成为了冬日里最不容小觑的主角单品。 更多推荐：uu天堂不忘初心

来源：王会廷