黑料 官网：“南极磷虾油”造假，同仁堂卷入风波

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这并非只是单纯的“恋旧”或不理性，而是现有的各类替代品都和当年的气体温度计、酒精温度计一样，各有各的毛病，论价格、精度、便利性，都没法和水银温度计这个传承了几百年的“老家伙”相匹敌。，“南极磷虾油”造假，同仁堂卷入风波

韦剑华致辞

警方于15日证实，两名嫌疑人分别为24岁的纳维德·阿克拉姆及其50岁的同伙，两人为父子关系。父亲在与警方交火中被当场击毙，阿克拉姆则受重伤正在医院接受治疗。

刘双成主持会议

刘佩武报告

OpenAI联合创始人兼首席执行官山姆·奥特曼称，这项合作将让Sora和图像生成应用ChatGPT Images拓展人们创作和体验优秀内容的方式，人工智能公司和创意领袖可以负责任地合作，以促进造福社会的创新。

郜东河作报告

好不容易日本投降。当麦克阿瑟思考如何治理日本时，想到了自己双手插裤兜与裕仁合影。然后将合影发到报纸上。日本百姓才明白，原来他们的天皇比美国将军矮一大截。

罗辉仪报告

此外，刘某还经常在粉丝群里炫富，营造富婆人设。有网友向时女士提供的截图显示，2020年，刘某曾经发朋友圈称：“你们都在搬砖，我在搬人民币，都是一袋子一袋子给，这两天光安排人存钱了！”

王贵林作报告

泰国军方14日宣布在达叻府部分地区实施宵禁，涉及空艾县、兰喔县、考沙明县、博赖县、达叻市等地。军方禁止这些地方的民众于19时至次日5时之间离开住所。这是自本轮泰柬冲突以来泰国第二个宣布实施宵禁的府。10日，泰国军方宣布在沙缴府4个边境县实施宵禁。

徐慧生作报告

解决新农合断缴问题的根本，不在于村干部的催缴手段有多硬，而在于制度设计上，是否足够人性化，是否真正回应了弱势群体的生存焦虑。

王慧娟作报告

学生提问 1：Google 很大程度上源自您在学术界完成的 PageRank 研究。而在今天，越来越多的创新由工业界主导，您是否仍然认为「从学术到产业」的这条路径依然重要？如果重要，又该如何去强化它？

郑伟报告

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。

赵宣斯报告

说是岭南潞州城司马孔成业突然喜欢上了炼丹，想要找到长生不老丹的方法，可就差一种叫彼岸花的药草，于是悬赏百两黄金找彼岸花，让全城老百姓都疯狂了，他自己也带兵寻找。

据涉事小区住户称，10日9时许，她看到小区里有警车和救护车，随后小区群消息显示，有新娘坠楼。事发后，该教师的朋友圈截图在社交平台流传，称自己其实并不想结婚。前述住户称，这条朋友圈动态是新娘生前发布的。

在技术创新策源方面，美国主导地位加强，前30强城市中，美国独占14席；亚洲成为核心追赶者，深圳排名升至全球第7，北京稳居前4，杭州保持在20位左右；而欧洲整体承压，入围前30强的欧洲城市数量从8个减少至7个，都柏林、剑桥等城市退出榜单。 更多推荐：黑料 官网

来源：闫坤