东南亚UU：美国政府联手苹果、微软、OpenAI等公司，招募1000名工程师打造"科技力量"

东南亚UU

同样年轻的还有开普勒产品负责人朱彬彬率领的具身团队，平均年龄30岁，多为刚毕业的博士。在上海，高价值的AI职位、有竞争力的薪资、人才落户与补贴政策，持续吸引年轻技术人才聚集。“这里能接触最前沿的技术，视野更国际化，适合年轻人实现梦想。”他说。，美国政府联手苹果、微软、OpenAI等公司，招募1000名工程师打造"科技力量"

高福侠致辞

另一段视频记录下嫌疑人被警方制伏后的场景：一名情绪激动的民众冲上前踩踏枪手头部，并大骂“打死他”，在场警察随即制止其行为，示意枪手已中弹失去威胁。

宋有主持会议

李晓钦报告

对此，美国白宫一名发言人发表声明说：“总统要求所有各方全面履行他们在签署这些协议时所做出的承诺，他将根据需要追究任何人的责任，以制止杀戮并确保持久和平。”

马学文作报告

阿森纳主场惊险战胜副班长狼队，暂时以5分优势领跑。枪手打入绝杀球——准确说是狼队的绝杀乌龙——后，阿尔特塔与助教激情庆祝，但赛后接受采访时，塔帅的不高兴似乎要多于高兴，他认为本队是自找麻烦，比赛本来就不应该陷入失控状态。

徐建雄报告

当月21日，张俊杰本人通过朋友圈证实了这一婚讯，并透露已于今年6月登记领证。在感谢公众祝福的同时，张俊杰也表示：此前围绕他婚姻和创业的诸多谣言，让其本人及家人受到了很大伤害，“有必要站出来说话”。

张东光作报告

关于朱雀三号的运载能力，张晓东介绍，火箭目前这个状态，是中间过渡的一个版本，这个一次性使用的运力，大概是十三四吨，重复使用能达到10吨级，具体情况要看不同轨道。

李京来作报告

现场演示针对关键靶蛋白Mtb PheRS进行新药设计。首先平台的“连弩”模块基于大量学习已有化合物与蛋白质结合的数据，具备了生成新分子的能力。用户上传靶点蛋白质结构后，模块会搜寻小分子可能的结合位点，进而生成能与目标靶点蛋白结合的新分子。该模块还可以针对蛋白质口袋和已有分子骨架进行分子片段生成，从而实现先导化合物的优化。现场发布的数据称，连弩模块在GHDDI多条药物研发管线中完成了实验测试与应用，对于病毒的关键靶点，依托连弩合成的苗头化合物经过两轮迭代，活性分子的比例成功提高了43%；在疟疾靶点上，连弩在一轮和二轮帮助合成的活性化合物占比分别为17%和21%，总计5个活性化合物，展现出了连弩模块在加速迭代流程和提高早期药物研发效率上的潜能。

张国选作报告

皇马最近遭遇联赛和欧冠双线连败，士气正处于低谷，而且米利唐和卡瓦哈尔在内的多名后卫受伤，卡雷拉斯、弗兰-加西亚和恩德里克又因为红牌停赛，可以说是缺兵少将，银河战舰面临着极大的压力。

王海杰报告

据央视新闻消息，当地时间12月15日，柬埔寨外交与国际合作部发表声明，谴责泰国对柬埔寨的武装进攻，包括使用F-16战斗机对柬泰边境省份多个地点进行空袭。

马少石报告

霸王茶姬方面也表示，他们已使用法律手段对造谣者进行了打击。今年4月，人民法院公告网公布的一则起诉状副本及开庭传票，显示了与该系列谣言相关网络侵权责任纠纷的处理进展：造谣者依法受到了处罚，并公开道歉。张俊杰刚刚发布的朋友圈引用了道歉截屏。

据悉，首届梅西杯是聚焦U16梯队的国际青少年足球赛事，于当地时间2025年12月9日在迈阿密开赛，12月14日结束，赛事采用“循环赛+淘汰赛”模式。

入选论文题目：《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》 论文作者：张昊宸 *，孙跃 *（小米），钱洪途 *，刘嘉男（小米），范水灵，韩啸，张永胜，张晖，张新川，邱俊卓，裴轶，刘水（小米），孙海定，陈敬（香港科技大学），张乃千 * 表示共同第一作者。该工作由小米手机射频团队主导完成，器件组孙跃博士为项目负责人。 论文详情：https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/ session-details.cfm?scheduleid=273研究背景 在当前移动通信技术从 5G/5G-Advanced 向 6G 演进的关键阶段，手机射频前端器件正持续面临超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技术挑战。 作为射频发射链路的核心组件，功率放大器负责将微弱的射频信号有效放大并辐射传输至基站，其性能直接决定了终端通信系统的能效、频谱利用率与信号覆盖能力。目前主流手机功率放大器广泛采用砷化镓（GaAs）半导体工艺，该技术已商用二十余年，在过去数代通信系统中发挥了关键作用。 然而，随着 6G 技术愿景逐步清晰，通信系统对频段、带宽与能效的要求不断提升，GaAs 材料在电子迁移率、热导率和击穿电场等方面的物理限制日益凸显，导致其在功率附加效率、功率密度和高温工作稳定性等关键指标上逐渐逼近理论极限。因此，传统 GaAs 基功率放大器已难以满足未来通信对更高功率输出、更低能耗与更紧凑封装尺寸的综合需求。 在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，凭借其高临界击穿电场与优异的热导性能，被视为突破当前射频功放性能瓶颈的重要技术方向之一。然而，传统 GaN 器件主要面向通信基站设计，通常需在 28V/48V 的高压下工作，无法与手机终端现有的低压供电系统相兼容，这成为其在移动设备中规模化应用的关键障碍。 为攻克这一难题，研究团队聚焦于硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线，通过电路设计与半导体工艺的协同创新，成功开发出面向手机低压应用场景的射频氮化镓高迁移率电子晶体管（GaN HEMT）技术，并率先在手机平台上完成了系统级性能验证，为 6G 时代终端射频架构的演进奠定了关键技术基础。研究方法和实验 在外延结构方面，本研究重点围绕降低射频损耗与优化欧姆接触两大关键问题展开技术攻关。 一方面，通过实施原位衬底表面预处理，并结合热预算精确调控的 AlN 成核层工艺，显著抑制了 Si 基 GaN 外延中的界面反应与晶体缺陷，有效降低了射频信号传输过程中的衬底耦合损耗与缓冲层泄漏，使其射频性能逼近当前先进的 SiC 基 GaN 器件水平。 另一方面，通过开发高质量再生长欧姆接触新工艺，在降低界面势垒与提升载流子注入效率方面取得突破，实现了极低的接触电阻与均匀一致的方块电阻，为提升器件跨导、输出功率及高温稳定性奠定了工艺基础。 得益于外延设计优化与工艺创新，该晶体管能够在 10V 工作电压下，实现了功率附加效率突破 80%、输出功率密度达 2.84 W/mm 的卓越性能。 结合手机终端产品的器件需求定义，我们进一步制定了器件的具体实现方案。该方案针对耗尽型高电子迁移率晶体管（D-Mode HEMT）的常开特性，设计了专用的栅极负压供电架构，通过精确的负压偏置与缓启动电路，确保器件在开关过程中保持稳定可靠，有效规避误开启与击穿风险。 在模组集成层面，通过多芯片协同设计与封装技术，实现了 GaN HEMT 工艺的功放芯片与 Si CMOS 工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。最终，该器件在手机射频前端系统中完成了关键性能指标的全面验证，为低压氮化镓技术在下一代移动通信终端中的应用提供重要参考。 研究结论 相较于传统的 GaAs 基功率放大器，在保持相当线度性的同时，研究团队开发的低压氮化镓功放展现出显著的性能优势。最终，该器件实现了比上一代更高的功率附加效率（PAE），并同时兼顾通信系统的线性度和功率等级要求，在系统级指标上达成重要突破。 未来展望 这一成果的实现，标志着低压硅基氮化镓射频技术从器件研发成功跨越至系统级应用。这不仅从学术层面验证了该技术的可行性，更在产业层面彰显了其在新一代高效移动通信终端中的巨大潜力。我们将持续深化与产业链的协同创新，推动该技术向更复杂的通信场景拓展，加速其在移动终端领域的规模化商用进程。 未来，小米更加坚定走科技创新的道路，推动更多前沿技术从实验室走向规模化落地，不断探索并实现更强大、更可靠、更极致的未来通信体验。 更多推荐：东南亚UU

来源：李立柱